新洁能MOSFET场效应管NCE0104S

描述:
NCE0104S采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 它可用于多种应用。
一般特征
● VDS=100V,ID=4A
RDS(ON) <160mΩ @ VGS=10V(典型值 144mΩ)
RDS(ON) <170mΩ @ VGS=4.5V(典型值 150mΩ)
● 超低 Rdson 的高密度电池设计
● 完全表征的雪崩电压和电流
● 良好的稳定性和均匀性,高EAS ● 优良的封装,良好的散热性
● 高ESD能力的特殊工艺技术
应用:
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源

描述:
NCE0104S采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 它可用于多种应用。
一般特征
● VDS=100V,ID=4A
RDS(ON) <160mΩ @ VGS=10V(典型值 144mΩ)
RDS(ON) <170mΩ @ VGS=4.5V(典型值 150mΩ)
● 超低 Rdson 的高密度电池设计
● 完全表征的雪崩电压和电流
● 良好的稳定性和均匀性,高EAS ● 优良的封装,良好的散热性
● 高ESD能力的特殊工艺技术
应用:
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源