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    SGT MOSFET场效应管HYG180N10LS1P

    介绍：
    华羿微SGT MOSFET场效应管HYG180N10LS1P此器件为 100V、16.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，可满足如直流电动机等应用领域。

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    华羿微SGT MOSFET场效应管HYG180N10LS1P
    华羿微SGT MOSFET场效应管HYG180N10LS1P
    产品特性：
    此器件为 100V、16.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，可满足如直流电动机等应用领域。
    低内阻
    优异的QG
    低输入电容
    符合RoHS标准

    优势：
    通态损耗小
    稳定的工艺能力
    高可靠性

    应用：
    AC-DC/DC-DC电源板
    华羿微SGT MOSFET场效应管HYG180N10LS1P应用
     

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